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CMOS
CMOS-Inverter

Komplementärer Metalloxid-Halbleiter oder CMOS ist ein Halbleitertechnologie die Metalloxid verwendetFeldeffekttransistoren mit sowohl n- als auch p-Leitfähigkeit. Aufgrund dieser komplementären Schaltung sind Schaltungen entweder negativ oder positiv Versorgungsspannung angeschlossen, während der gegenüberliegende Transistor nicht leitet, so dass die Schaltung praktisch ohne fließen verbraucht, wenn nicht geschaltet wird. CMOS wurde 1967 patentiert von Frank Wanlass.[1]

CMOS-Schaltungen werden häufig als Logikgatter im integrierte Schaltkreise, auch ICs genannt, teilweise wegen der relativ geringen Leistungsaufnahme dieser Schaltungen im Vergleich zu Transistor-Transistor-Logik (TTL), der bisher der vorherrschende Standard war.

Anwendungen

CMOS-Schaltungen werden in allen Arten von elektronischen Geräten verwendet. Einer der großen Vorteile von CMOS ist der sehr geringe Stromverbrauch. CMOS ist daher für den Einsatz in Kombination mit Batteriestrom geeignet.

Computers

Eine bekannte Anwendung ist das kleine Stück Erinnerung in Computern, die allgemeine Einstellungen des BIOS hält. Dieses CMOSRAM Aufgrund seines geringen Verbrauchs kann er jahrelang mit einer kleinen Batterie betrieben werden, wenn der Computer nicht eingeschaltet ist.

Fotografie

Unter anderem wegen des geringen Stromverbrauchs wird die CMOS-Technologie verwendet für Bildsensoren. Darin ist es der größte Konkurrent der CCD. Viele der von einem CCD benötigten Nachbearbeitungsoperationen können in CMOS-Chips auf dem Chip selbst durchgeführt werden, wie beispielsweise Verstärkung, Rauschunterdrückung und Interpolation. Wo bei einem CCD die Ladung am ende der ganzen serie Pixel in eine Spannung umgewandelt wird, geschieht dies bei CMOS auf jedem Pixel separat. CMOS-Sensoren werden zunehmend in Consumer-Geräten eingesetzt, insbesondere dort, wo ein möglichst geringer Stromverbrauch erwünscht ist. Zudem sind sie deutlich günstiger in der Herstellung, weshalb sie zunehmend digital eingesetzt werden Spiegelreflexkameraangewendet wurde.

Siehe auch

  • MOSFET - Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Verweise

  1. ↑US-Patent 3,356,858
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