MRAM oder Magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher ist ein Speichermedium, das mit Magnetismus.
Operation
MRAM ist eine auf Dünnfilmmagnetismus basierende Speichertechnologie. Speicherzellen werden aus einem dünnen magnetischen Multilayer hergestellt. Dieser Multilayer besteht normalerweise aus einer sogenannten „festen“ Magnetschicht und einer „freien“ Magnetschicht. Die Magnetisierung der Festkörperschicht ist in einer festen Richtung fixiert und kann nicht leicht durch externe Magnetfelder beeinflusst werden. Diese Fixierung erfolgt üblicherweise über die Austauschvorspannung der festen ferromagnetischen Schicht mit einem Antiferromagneten. Wie der Name schon sagt, lässt sich die Magnetisierung der freien Schicht leicht beeinflussen. Ein durch ein solches Mehrschichtelement fließender Strom erfährt einen hohen oder niedrigen Widerstand, je nachdem, ob die Magnetisierungen der festen und der freien Schicht antiparallel oder parallel ausgerichtet sind, je nach Riesiger Magnetowiderstandseffekt. Dieser hohe und niedrige Widerstand ermöglicht es, die Konfiguration der magnetischen Mehrfachschicht (parallel oder antiparallel) abzuleiten und den logischen Zuständen '0' und '1' zuzuordnen. Die magnetischen Elemente können daher zur Speicherung digitaler Informationen verwendet werden. Je nach Technologie können die Speicherelemente durch Anlegen winziger Magnetfelder oder direkt durch Anlegen eines Stroms basierend auf dem Spin-Torque-Effekt programmiert werden.
MRAM ist wie FLASH-Speicher nicht flüchtig, dh die Informationen werden dauerhaft im Speicherelement gespeichert. nicht so wie Flash-Technologie MRAM verspricht schnellere Schreibgeschwindigkeiten in Kombination mit Lesegeschwindigkeiten, die denen von SDRAM Konkurrenz machen.